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离子氮化炉根据不同的工艺要求，最高工艺温度可以设计到900度。炉体可以是钟罩式设计，也可以是井式炉或卧式设计。根据设备的大小，加热控制区至少配有三组独立控制升温和降温的加热器，通过这些独立控制的加热器获得较好的均温性。
离子氮化炉包括真空炉室，辅助加热系统，保温系统，温度测量系统，钟罩提升系统，工艺气体循环系统，冷却系统，工艺控制系统以及离子发生器系统。这其中的离子发生器系统是普发拓普公司的设计，可以避免打弧现象的发生而且节能效果明显。炉体可以是钟罩式设计，也可以是井式炉或卧式设计。根据设备的大小，加热控制区至少配有三组独立控制升温和降温的加热器，通过这些独立控制的加热器获得较好的均温性。
工艺特点：
通过热壁技术实现良好的均温性
工艺气体消耗少，没有污染气体
灵活的渗氮温度，温度范围 300 ℃ - 600 ℃
白亮层可控
可处理不锈钢
可处理烧结钢
可以在同一炉工艺集成脉冲离子氮化-氧化工艺
离子氮化炉特点：
不产生打弧，工件表面无破坏
加热和控制系统，至少3区独立的加热和冷却区域，
控制区温度均匀分布
PulsPlasma®电源，电压和电流近乎方波，几微妙内获得
设定的全部脉冲电流，主动抑制打弧监测（开关时间< 0.1 µs）
电源可升级至5年质保
可在低温下对工件表面进行等离子清洗
设备布局紧凑，节省空间，所有部件集成在一个基础框架内
模块化设计，提供单室型、交替型和双室型设备
特殊航天保温材料，热容量低，功率损耗低，节省重量
离子氮化炉主要技术参数
